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产品信息
陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。具有消得正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡电路中，作为回路电容器。低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的 场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用，它易被脉冲电压击穿，故不能使用在脉冲电路中。高频瓷介电容器适用于高频电路。
所谓片式多层瓷介电容器(MLCC)---简称片式电容器,是由印好电*（内电*）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电*），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。
片式电容器除有电容器 “隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，*性高，适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以*的速度向前发展，每年以10%～15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在 2000亿支以上，70%出自日本，其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品*性和集成度的*，其使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。
片式多层瓷介电容器执行标准:
1类片式多层瓷介电容器执行标准:GB/T 21041-2007(IEC 60384-21：2004)；
2类片式多层瓷介电容器执行标准:GB/T 21042-2007(IEC60384-22：2004)；
片式多层瓷介电容器功能选用
片式多层瓷介电容器因为具有“隔直通交”的特性，同时它是一个储能的元件，因此在电路中常有功用有以下几个方面： 1、片式多层瓷介电容器用于储能交换 这是电容器*基本的功用，主要是通过它的充放电过程来产生和施放一个电能。这主要是以大容量的Ⅱ类电容器为主，在某些情况下甚至可以代替小型铝电解电容器和钽电解电容。 2、片式多层瓷介电容器用于隔直通交（旁路与耦合） 由于电容器并非是一个导通体，它是通过交流的有规律的转向而体现出两端带电的现象，因此，在电路中它可以同其它元件并联，使交流通过，而直流被阻隔下来，起到旁路的作用。在交流电路中，电容器跟随输入信号的*性变化而进行充放电，从而使连接电容器两端的电路表现导通的状态，起到耦合的作用。一般说来，与放大器或运放输入端相联电容器的为耦合电容器；与放大器或运放发射*相联的电容器为旁路电容器。两者均以Ⅱ类电容器为主，*是0.1uF 的电容居多。 3、片式多层瓷介电容器用于鉴频滤波 在交流电路中，对于一个多频率混合的信号，我们可以用电容器将其部分分开，一般来说，我们可以使用一个合理电容量的电容器将大部分的低频信号过滤掉。这主要以高频或*频电容器为主。 4、用于浪涌电压的抑制 由于电容器是一个储能元件，因此，在电路中，它可以去除那些短暂的浪涌脉冲信号，也可以吸收电路中电压起伏不定所产生的多余的能量。 滤波主要以高频产品为主。二、片式多层瓷介电容器介质材料、容量值、容量级别的选用参考 介材料介电常数可做产品容量范围（以1206规格为例）对应容量级别COG(CG)15～901.0～2200pFB,C,D,F,G,JX7R(B)2600～36001～100nFJ,K,MZ5U(E)15000～200010～470nFM,S,ZY5V(F)15000～200010～470nFM,S,Z 注：BME（内电*为NI）同规格可做更大容量的产品。
为了满足电子整机不断向小型化、大容量化、高*性和*的方向发展。多层片式电容器也随之*向前发展：种类不断增加，体积不断缩小，性能不断*，技术不断进步，材料不断更新，轻薄短小系列产品已趋向于标准化和通用化。其应用逐步由消费类设备向投资类设备渗透和发展。移动通信设备更是大量采用片式元件。
片式电容具有容量大，体积小，容易片式化等特点，是当今通讯器材、计算机板卡及家电遥控器及中使用*多的元件之一。随着SMT的*发展，其用量越来越大，*每部流动电话中的用量就达200个之多。因此，片式多层瓷介电容器2002年*量达4000亿只，*小尺寸为0402 ，甚至0201。
随着世界电子信息产业的*发展，片式电容的发展方向呈现多元化。(1)为了适应便携式通信工具的需求，片式多层电容器也正在向低压大容量、*小*的方向发展。(2)为了适应某些电子整机和电子设备向大功率高耐压的方向发展（*通信设备居多），高耐压大电流、大功率、*Q值低*R型的中高压片式电容器也是目前的一个重要的发展方向。 (3)为了适应线路高度集成化的要求，多功能复合片式电容器（LTCC）正成为技术研究热点。